Jump to content
Sign in to follow this  
Dani

Samsung a inceput productia de chip-uri de 512GB

Recommended Posts

Samsung încearcă să preia spațiul de stocare al telefonului la nivelul următor, cu o nouă soluție de stocare flash încorporată de 512 GB (eUFS), pe care gigantul sud-coreean a început să producă în masă, a anunțat marți. Această mișcare va dubla maximul actual de 256 GB al companiei, care este disponibil pe Galaxy S8 și Galaxy Note 8. Nu a fost dezvăluită o cronologie precisă a momentului în care aceste cipuri pot fi așteptate pe dispozitivele mobile, dincolo de faptul că acestea sunt destinate viitoarelor smartphone-uri și tablete emblematice.

Folosind cele mai recente chip-uri V-NAND de 64 de straturi de 512 de gigabiți (opt dintre ele), noul pachet de 512 GB eUFS oferă o capacitate de stocare record și viteze mai rapide de procesare, afirmă compania. Samsung susține că noua soluție eUFS va permite unui smartphone-pilot să stocheze aproximativ 130 de clipuri video 4K Ultra HD (3840×2160) cu o durată de 10 minute, ceea ce reprezintă o creștere de zece ori pe un eUFS de 64 GB, ceea ce permite stocarea a aproximativ 13 videoclipuri.

“Designul de circuit avansat de 512Gb V-NAND de 5 straturi și noua tehnologie de gestionare a puterii în controlerul 512GB eUFS minimizează inevitabila creștere a consumului de energie, ceea ce este deosebit de important, deoarece noua soluție de 512GB eUFS conține de două ori numărul de celule comparativ cu 256 GB eUFS. În plus, cipul de controler 512GB eUFS accelerează procesul de mapare pentru conversia adreselor bloc logice la cele ale blocurilor fizice “, spune compania în declarația sa.

Este de așteptat, de asemenea, o creștere a performanței generale de citire și scriere. Vitezele secvențiale de citire și scriere de până la 860 megaocteți pe secundă (MBps) și respectiv 255 MBps. Inseamnă că fișierele mai mari, cu rezoluție înaltă, pot fi transferate în timp mai scurt decât înainte. În cazul operațiunilor aleatorii, soluția de 512 GB eUFS poate citi 42.000 de IOPS și poate scrie 40.000 IOPS, care este de peste 400 de ori mai rapidă decât un card obișnuit microSD.

Samsung nu a confirmat nimic despre dispozitivele care ar putea primi noile cipuri de 512 GB, însă putem presupune că telefonul mobil al producătorului telefonului – Galaxy S9 – va avea stocarea internă de 512 GB ca opțiune. Sistemele Galaxy S9 și S9 + vor fi previzionate în luna ianuarie la CES 2018. De asemenea, ne putem aștepta la câteva tablete cu același cip în 2018. Compania a adăugat că va extinde producția de chip-uri de 256 Gb V-NAND, în timp ce ar fi agresivă în ridicarea noilor chip-uri VNAND cu 64 de straturi de 512 GB.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this  

×